呵呵，8楼的回答比较难以反驳。9楼的方法挺不错的。
保护阻抗之所以可以用来跨接绝缘，其先决条件是有足够的稳定性，这一点600335中结构一章提到了，60065和60950没有仔细查核。两只电视高压包内的硅堆反向连接，其耐压也是数万伏级别。但构成电阻的是多只串联的PN结，那个仅靠添加不同物质所形成阻止电流反向通过的电场，不可能视其为有足够稳定性的，因而不能用作保护阻抗。
电气间隙和爬电距离如何保证？
引用第11楼山炮于2010-11-24 22:06发表的:
保护阻抗之所以可以用来跨接绝缘，其先决条件是有足够的稳定性，这一点600335中结构一章提到了，60065和60950没有仔细查核。两只电视高压包内的硅堆反向连接，其耐压也是数万伏级别。但构成电阻的是多只串联的PN结，那个仅靠添加不同物质所形成阻止电流反向通过的电场，不可能视其为有足够稳定性的，因而不能用作保护阻抗。
你的理由很有说服力，但是在60950里面我找不到类似60335的说法，609502.9.1里面有列出了可以作为绝缘的材料，但是并没有列出半导体材料能不能作为绝缘，还有 2.10.5.4中 有如下内容：
2.10.5.4 Semiconductor devices
There is no minimum distance through insulation for SUPPLEMENTARY INSULATION or
REINFORCED INSULATION consisting of an insulating compound completely filling the casing of a
semiconductor component (for example, an optocoupler, see Figure F.17), provided that the
component satisfies one of the following, a) or b):
a) – passes the TYPE TESTS and inspection criteria of 2.10.11; and
– passes ROUTINE TESTS for electric strength during manufacturing, using the appropriate
value of the test voltage in 5.2.2; or
b) for an optocoupler only, complies with the requirements of IEC 60747-5-51), where the test
voltages as specified in 5.2.6 (of IEC 60747-5-5):
– the voltage Vini,a for TYPE TESTING and
– the voltage Vini,b for ROUTINE TESTING,
shall be the appropriate value of the test voltage in 5.2.2 of this standard.
NOTE The above constructions may contain cemented joints, in which case 2.10.5.5 also applies.
As an alternative to a) and b) above, it is permitted to treat a semiconductor according to
2.10.5.3, if applicable.
For compliance criteria, see 2.10.5.1.
我个人理解二极管是可以满足a 的要求的，现在有争论的就是打耐压方向的问题，就像8楼所说的，标准没有规定从哪个方向打，既然没有规定，那我可以按对我产品有利的方向来打，就算是机构的工程师，如果说不允许，也要有相关的标准作为依据才可以反驳我的做法吧。我们都知道，只要二极管的反向击穿电压大于我们的绝缘耐压要求，按固定的方向来打耐压（DC)是可以打得过的。
继续期待着大家进行讨论。
不过标准中所有测试都是以最不利的情况下做的，就如楼上说的，认证工程师一般都会要求以最不利的方向打耐压。
判断绝缘是否合格，并不是只有耐压一种方法，同时还得满足隔离要求，再者，二极管反向可以通过耐试验，那正向呢？
引用第14楼清水白菜于2010-11-25 12:29发表的:
不过标准中所有测试都是以最不利的情况下做的，就如楼上说的，认证工程师一般都会要求以最不利的方向打耐压。
其实我们这个电路是对地打的，从实际应用来说，只有可能从L/N对地击穿，所以如果根据实际情况来评估的话，从地往L/N打(DC)应该就没有必要了吧。
引用第15楼zhysff于2010-11-25 13:12发表的:
判断绝缘是否合格，并不是只有耐压一种方法，同时还得满足隔离要求，再者，二极管反向可以通过耐试验，那正向呢？
正向是从地到L/N的，从实际情况来评估的话，是否有必要两边都要打(DC)呢？
引用第17楼安规007于2010-11-25 14:28发表的:
正向是从地到L/N的，从实际情况来评估的话，是否有必要两边都要打(DC)呢？
打抗电强度的时候并没有规定电压的方向，那么，实验工程师从两极防护的原则上考虑的话，是可以在两边都进行抗电强度试验的
再者，刚才还提到一个隔离的问题，初次级之间是需要隔离的，可以是空间距离的隔离，也可以是如光耦一样用绝缘化合物填充，二极管仅仅是一个PN结，是满足不了隔离的，而且二极管在两端电势差较大的情况下是会击穿短路，就从这点来说，就不能让产品持续符合安全的要求
引用第18楼zhysff于2010-11-25 14:38发表的:
打抗电强度的时候并没有规定电压的方向，那么，实验工程师从两极防护的原则上考虑的话，是可以在两边都进行抗电强度试验的
.......
呵呵，关于抗电强度，我可以从实际情况来进行评估，L/N是带电体，而地是安全的，我只要保证从L/N那边不会有高压对地击穿应该就可以满足安全的要求吧。
还有关于隔离的问题，关于半导体内部的隔离是没有最小距离要求的，标准已经拿光耦来做例子。关于PN结是否可靠，标准里面没有说到，这就是有争议的地方了，你说二极管两端电势差比较大会击穿，这个我们会考虑到的，我只要选用反向击穿电压大于2120 V的二极管就可以满足基本绝缘要求了。
