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[电磁兼容对策] SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!

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楼主
发表于 2008-8-6 09:10 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
广东安规检测
有限公司提供:
顶层是SDRAM,底层FLASH,几乎交叠,在交叠处有不少线是通过电源层走的,SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!3 ?& g$ d( Y8 t1 a$ Q
顶层是SDRAM,底层FLASH,几乎交叠,在交叠处有不少线是通过电源层走的,SDRAM的125M  CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!
4 E- e5 R; W; K) c- I. j疑问:都说高速数字PCB设计时影响EMC的重要因素就是电流的回流路径及环路面积,最好做到最小话;现因成本问题只能用到四层板,也只好利用电源层来走线。现出现超标的部分比较多,100M到200M之间普遍较高,有些许频点会超标;125M CLK的时钟两倍频,三倍频会严重超标。% z* R% \' \& J- z3 L2 N. U: b
问一:在测CLK及SDRAM 数据脚波形时,都是以SDRAM的附近刮出一个地来测量波形,此时测量的波形信号完整性还算可以,但如果以远处的共地来测量的话,波形形状一致,但电压严重过标了。(供电3.3V,近地时peak--peak大致4.3V,远地时则有5.5V之多);这样的问题反馈的是否就是所谓的共模电流带来的EMC现象。而共模的引起则是电源层走线带来的回流路径严重变坏?
! e$ q' I, Z' Q& |  M6 _7 _& g问二:都说屏蔽和接地是实在没办法之后考虑的方案;我们有液晶背光板的引线,跟提供电源的引线,引线数目很多;用频谱仪测得的大致,也是CLK的125M 两倍频跟三倍频的频点特别高。线上套磁环固然可以降低,但总觉得不是最好的选择,而且空间也很难容许。如果只在电源线上加磁珠,是否会有效果?其他的数据线应该也是照样可以携带电磁波出去的啊,又该如何解决?, V* L) e1 a9 U" H( h/ p6 a
问三:方案上去耦电容都是用0.1uF的电容,可很多材料上说其频率范围较低,是否该取用0.01u的电容,或加用呢?这个对消除问题会有帮助么?, E0 I) ~# k9 s0 Z
因为测下EMC的费用较高,所以很多疑点也都集中在脑子了。上次有用频谱仪进行大致的摸底,可发现很怪异。在频谱仪上看到明显加个电容效果好点,可实际测时反而超标更严重。甚是疑惑
& K6 N1 R6 L' R0 e* I. R# u总觉得理论还是不够懂,与实际分析老是冲突。还是高手们指点一二啊,项目较急,拜求高手们啦!!!!!
22#
发表于 2009-5-20 21:02 | 只看该作者
感觉有点象屏幕信号时钟的倍频啊,现在很多屏都是25M时钟的,经常容易在视频信号线和电平转换那里出来比较高的辐射
21#
发表于 2009-4-30 15:18 | 只看该作者
有geber file 嗎 因為我猜您應該有分gnd八
20#
发表于 2008-12-7 01:49 | 只看该作者
严重学习中。。。。
19#
发表于 2008-11-24 17:20 | 只看该作者
我沒別的意思..說過是討論了..所以難免會有不一樣的反應..別在意啦..
# }. t9 H1 B/ \2 @  h3 l
! r3 ?# Y! H5 K$ ~   我也曾做過ESD對策改善,所以若有問題可以提出來大家做個討論,不然就失去這個站的意義嘍..^_^
18#
发表于 2008-11-24 17:03 | 只看该作者
引用第17楼pwu5于2008-11-24 16:00发表的  :+ D# D& I/ b" d2 d0 q) p2 m
感謝版主的討論.., b* V! j7 Q4 ]$ _: e) s' x9 D0 g

$ [: w" K1 h) @* s" I1 H1 X0 ~我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...3 K" Q" Y1 `- q4 L' W: j' u
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與, @& v% P6 u) v1 B6 ?( a
判斷才能得知,
呵呵,你别误会,我没有其他意思。既然你是做EMC DESIGN的,我以后还得请教你这方面的问题。不知道你对于消费性电子的ESD性能设计有没有经验,类似于MP3,DC类的。。。
17#
发表于 2008-11-24 16:00 | 只看该作者
感謝版主的討論..
& N2 e8 }6 L9 ^% ?
! b9 j) F. |4 b! {. K$ S* W( n' P& U我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...4 x" n4 h' [% P
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與) G8 w3 R+ A6 G
判斷才能得知,
16#
发表于 2008-11-24 08:58 | 只看该作者
引用第15楼pwu5于2008-11-17 12:08发表的  :
( o7 u: Y$ [- R4 B- }0 E; V0 M幾個建議方案 :, Q* L5 B$ q  o6 ]2 l5 d
                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.' g/ x* ?; E' E. O& K

: Y% @0 }/ X) h% D                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)/ G9 X; i0 E+ p/ A
7 X8 B* Y( d9 c: K6 d1 a2 Z$ a
.......
楼上应该是搞EMC design的,想法是一些理论的,固定有说服力,但实际测试还是要根据测试结果来定,你讲的一些东西似乎跟主题有差距,人家既然都说了是SDRM 125M CLK,说明他应该有debug过。我们而不是误导他方向。
15#
发表于 2008-11-17 12:08 | 只看该作者
幾個建議方案 :. R; X" U5 l( _! _4 {
                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.
- R7 S# \: L' a" l) V- ?6 G! }2 }& Q- G
                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)
* U( a2 b& H: r* [$ a, \$ V- {! u/ {8 p- }. Q
                c. 測一下附近的ripple是否很高(尤其是VCC and GND),依您所述,可能有broad band noise在
; X8 y/ K! \4 e/ u          100~300MHz左右,如真有此band,則建議先解決VCC and GND的問題(VCC過高,請以高容3 P3 _$ \4 r' e6 b) f0 Z' a  F
          電值電容解決;GND ripple過高則運\用接地性或隔離性解決,此部份要看實測狀況,有些時候增# c' z' D/ f# J, e" q4 z* ]4 h
          加接地性可能無效,因為可能在那附近的ripple過高,此時就不適合接地性,反而適合隔離解決)% E5 d0 Z4 e$ w% R0 C

' r7 g5 l. Q+ `! u( k0 z                d. 於SDRAM靠近Main chip端加Bead(選Z and R交叉點在100~200MHz之間且impedance在% C0 P* ?) @- s# Q& v0 X
          100 ohm以下,impedance不要太大,以免影響Vpeak level) and capacitor(約10p~27pF左右: ^' Y1 ^4 O( ~$ K% h! o' \
          ,而且要看是否影響到function)
# M1 r% _% Y- J3 }2 G4 L& C/ t4 P$ o3 z" y: E+ T
                e. Data trace靠近Main chip端加約22 ohm左右的電阻, Y; H" E- G# W  w

6 Q. q  ^2 A! I7 t5 u  ?        f.  增加LCD panel與Main board之間的接地性4 L, S( D( r' T" {% A/ F! K
; H1 a9 U1 ~0 l
        g. 兩個不同的電源層上利用100pF~1000pF左右的電容接在一起
4 y2 K- _0 r) G2 @- L% c$ ~7 p& _4 ?, F
        h. Main chip / SDRAM / Flash的下一層應為GND plane: u. Z* C9 c$ W/ i

; o0 O  J7 L  N% I( O( m  W                i.   Trace儘可能不要走到VCC plane,因為他們為高速數碼電路,若不得以,則將此區域挖空給7 R& d9 }2 j' s$ u: `  S
          這些線路走線用
5 W6 Z) ?% Q9 J' G8 O; V+ S 0 s- g6 n( X) G$ A0 @
        j.  減少LCD的RGB trace的走線距離,並遠離高速數碼電路
+ X2 @7 W% e+ t. i; V# w* a" P+ w2 g. U# U) t2 Z& }2 |0 f) _1 M  O
        k. LCD背光引線遠離Main board,且一定要遠離幾個主要的IC; 看一下拔掉引線後,, L  u% ^. W1 u- l; L2 X+ h+ w
                    100~200MHz的band是否會變低,如果會的話,則在LED+ and -纏成絞線且更要遠離Main
1 L  q- V& a) @                    Board; 也可試著在LED+ and LED-加high u 電容解決,不過要注意是否影響影像
8 B, ?$ J# k# I! D8 Q4 G5 w/ h0 y& Y1 v- V) n; R5 p9 @6 w. V5 ?; }
        l.  電源引線的源頭利用Scope量一下ripple是否過高,若過高則在源頭加Bead or
& W" _# a# g: d8 i! ]                    Common mode choke or Capacitor解決,若無法則需加Core.
* o7 \' U; ~% Q' W5 ?: _4 c& B
0 v* G  R9 P$ d5 J) w     以個人經驗覺得可能跟SDRAM clock無關,應該跟LCD訊號有關,不過因為無實際參與您的測試,& ]8 W- J. a- a5 O4 s
  無僅能依您所述判斷,
14#
发表于 2008-11-15 21:37 | 只看该作者
引用第13楼aluminu于2008-11-15 21:32发表的  :2 E7 [" x& H4 l) E4 Z; x6 r
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻% |/ _  C' a5 w( c+ m
, {/ v& U/ G% T
這是可驗證的.............
这个当然是不错的。10/100M主频是25。1000M是125。/ f: R& n) Z& y. D
可这和SDRAM是两回事,你别搞错了.1 c: y! o: M1 f$ n" p
难道240M FAIL就一定是USB吗?
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