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楼主: whynoreason
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[电磁兼容对策] SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!

[复制链接]
11#
发表于 2008-11-15 17:33 | 只看该作者
广东安规检测
有限公司提供:
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
12#
发表于 2008-11-15 18:30 | 只看该作者
引用第11楼aluminu于2008-11-15 17:33发表的  :
% V5 Z& r) X2 p" L125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
楼主都说是SDRM的CLK问题,你别扯远了。
13#
发表于 2008-11-15 21:32 | 只看该作者
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻
) U' M/ |+ C4 z  d& O0 y3 M
' @* L6 W2 C5 q6 \/ e0 z) a8 B( ?這是可驗證的.............
14#
发表于 2008-11-15 21:37 | 只看该作者
引用第13楼aluminu于2008-11-15 21:32发表的  :
* Q0 h2 H* @2 G, o7 l我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻  l7 ]2 v* ?! A4 @
- z# i0 b% ^! s2 H; O5 C# `8 |
這是可驗證的.............
这个当然是不错的。10/100M主频是25。1000M是125。
, ]" c4 h' A, Y8 L) P) d( H& w4 W可这和SDRAM是两回事,你别搞错了.
, h0 w$ M$ x  [6 }+ k* j# Z: z难道240M FAIL就一定是USB吗?
15#
发表于 2008-11-17 12:08 | 只看该作者
幾個建議方案 :
- r( u' J. v; n; b                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.! b, {8 T% ]0 X& A: ?* |* f

  h) c6 d5 ?1 j) B, J* U                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)
, `9 Y/ m, C: u
$ r: O# I' b5 h: H& J                c. 測一下附近的ripple是否很高(尤其是VCC and GND),依您所述,可能有broad band noise在
  N; D: u) V( `6 x          100~300MHz左右,如真有此band,則建議先解決VCC and GND的問題(VCC過高,請以高容# c% L# s  `0 @# b1 `+ U4 V: z9 G; y
          電值電容解決;GND ripple過高則運\用接地性或隔離性解決,此部份要看實測狀況,有些時候增
  S; D. [5 e. x0 }' R          加接地性可能無效,因為可能在那附近的ripple過高,此時就不適合接地性,反而適合隔離解決)
2 m$ f7 J  L1 I5 E& p+ ~6 c
2 I6 M( Q; t" m                d. 於SDRAM靠近Main chip端加Bead(選Z and R交叉點在100~200MHz之間且impedance在
* s, z5 T: E) j          100 ohm以下,impedance不要太大,以免影響Vpeak level) and capacitor(約10p~27pF左右
' [3 D" r. g& M) \9 y# f( C% p          ,而且要看是否影響到function)" Y" V( W: S, x* m4 w& u  E

6 {6 M  w5 ?9 ~+ ?9 {# P                e. Data trace靠近Main chip端加約22 ohm左右的電阻
1 z8 X, M0 p+ {$ K2 T) [( q* Q8 m( d; _/ {3 c: d
        f.  增加LCD panel與Main board之間的接地性  a# P+ Z5 ~/ P0 O" g

: y2 y! [" L2 l7 A1 o. H& d/ v- [, e7 j        g. 兩個不同的電源層上利用100pF~1000pF左右的電容接在一起
9 d) Q+ q7 D) r2 v% @; N! \2 X0 S* V0 u" m
        h. Main chip / SDRAM / Flash的下一層應為GND plane
& E' T6 Y8 m: N
$ Y- T& x7 S, K# w) W: ]$ _9 U                i.   Trace儘可能不要走到VCC plane,因為他們為高速數碼電路,若不得以,則將此區域挖空給
# v  x! P8 D* }3 u          這些線路走線用& g( W5 f! o. L, }2 E8 R7 |

4 U& J' s( X+ f  R' f. O        j.  減少LCD的RGB trace的走線距離,並遠離高速數碼電路
" S( C0 x! X$ U
# F% m5 Q: o6 R6 ~. T( P' |        k. LCD背光引線遠離Main board,且一定要遠離幾個主要的IC; 看一下拔掉引線後,
, ^: K0 Q) f! o( p                    100~200MHz的band是否會變低,如果會的話,則在LED+ and -纏成絞線且更要遠離Main " ~! C1 C) l' C; m' N
                    Board; 也可試著在LED+ and LED-加high u 電容解決,不過要注意是否影響影像
) z3 c, y  P' C4 M) E
8 p) c5 q7 T9 T/ {6 |5 H        l.  電源引線的源頭利用Scope量一下ripple是否過高,若過高則在源頭加Bead or   t9 o) z% F& p7 b6 e# t( l
                    Common mode choke or Capacitor解決,若無法則需加Core.
/ A/ R% }! a! {
# x) B) i" r7 V- ~$ L     以個人經驗覺得可能跟SDRAM clock無關,應該跟LCD訊號有關,不過因為無實際參與您的測試,( c; X9 f; W4 X* z. \' E( b' S- g
  無僅能依您所述判斷,
16#
发表于 2008-11-24 08:58 | 只看该作者
引用第15楼pwu5于2008-11-17 12:08发表的  :9 ^6 U  }% O! c: V0 e+ e/ S) q0 V
幾個建議方案 :, l. S% }1 m# f3 {
                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.
# P( n8 }  D3 H9 e  C# k; O1 R' F! [2 |) P  C) |$ {
                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)( p. E2 W* N  L! Z$ |: Z" m! C
0 G5 ^; I8 @- x+ {2 z
.......
楼上应该是搞EMC design的,想法是一些理论的,固定有说服力,但实际测试还是要根据测试结果来定,你讲的一些东西似乎跟主题有差距,人家既然都说了是SDRM 125M CLK,说明他应该有debug过。我们而不是误导他方向。
17#
发表于 2008-11-24 16:00 | 只看该作者
感謝版主的討論.., L9 s4 ?$ X% Z+ K" o! }

( v9 a) }& ~" ]" A4 F. Y我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...7 T9 u' d1 ^2 d3 G1 N
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與
; V- v3 e  D$ r8 X* J# Y判斷才能得知,
18#
发表于 2008-11-24 17:03 | 只看该作者
引用第17楼pwu5于2008-11-24 16:00发表的  :
. r. B. I6 w9 G& ]% e5 t感謝版主的討論..
. v* z+ O( i0 I# H* w  e. _
; q: q5 Y) V+ ]4 Z* N我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...9 F6 {7 H, P! }8 o0 T$ B+ t
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與$ {4 ~# ~. E/ `. C: r: s, W5 |
判斷才能得知,
呵呵,你别误会,我没有其他意思。既然你是做EMC DESIGN的,我以后还得请教你这方面的问题。不知道你对于消费性电子的ESD性能设计有没有经验,类似于MP3,DC类的。。。
19#
发表于 2008-11-24 17:20 | 只看该作者
我沒別的意思..說過是討論了..所以難免會有不一樣的反應..別在意啦..
( C/ @8 c3 i. O. V* z5 z: [4 t9 D) u& o/ f5 G4 D
   我也曾做過ESD對策改善,所以若有問題可以提出來大家做個討論,不然就失去這個站的意義嘍..^_^
20#
发表于 2008-12-7 01:49 | 只看该作者
严重学习中。。。。
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