LED芯片分类

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1.MB芯片定义与特点
; M5 L! f; _4 V1 I
9 T2 a1 T' U$ l0 E5 p6 C定义﹕
       MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
0 Y$ j: {% G* v  Z7 O3 R: b  n7 h
6 f6 K' E9 l! r+ n* j/ h8 x; R特点﹕
     1、 采用高散热系数的材料---Si  作为衬底﹐散热容易.

0 A3 A4 i8 w. p, O/ Q6 s, fThermal Conductivity
- {( ]) |: Q; ~8 ]1 z" f7 ~GaAs: 46 W/m-K
* q! g$ o+ Z0 [. r4 sGaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
5 O, ~: p, \5 j+ eCupper:300~400 W/m-k
: v- a1 \/ R5 x6 J; t( t5 _1 OSiC: 490 W/m-K
9 ~; _1 a" b7 a9 ?" H
     2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
8 @0 E  g9 h* t' X     3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4   倍)，更适应于高驱动电流领域。
     4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
     5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB
( D" c# u3 U0 D8 U, I; Q. r$ w
2.GB芯片定义和特点
) \+ t# w/ q! t& R. o
定义﹕
" r2 i4 q) o+ l, F! m       GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
4 d0 I2 H# I  Y0 N, I# A+ r5 ]特点﹕
, A) ]% X6 D2 k1 k         1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
* T" V5 A  g3 k9 H. l  ^6 W         2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图
( G# D* n$ U( U& c1 l/ @) z         3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)
         4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片

3.TS芯片定义和特点

% j; ~3 v, r' Q  ?定义﹕
       TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。

6 V( b) P8 m0 @5 {% {6 z0 Y9 @特点﹕
    1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED
) L: z9 Z2 ~: R+ N7 @    2. 信赖性卓越
) Z" J+ d9 ^/ H7 t    3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
+ M0 p9 ~$ a6 ~( N3 C" D& i    4.应用广泛

4.AS芯片定义与特点
0 L6 `0 e$ r% P+ u2 \4 B: U
# j( D5 W& F6 m# F定义﹕
1 _0 s/ |; w9 j       AS 芯片﹕Absorbable structure  (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.
      大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
; x. J4 {8 u1 n) g
特点﹕
! O0 ~; e8 ^! U( c    1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
! r: c1 Q3 M( j+ q5 a) y. W    2. 信赖性优良
5 X4 k- a/ r3 {. \( f* c    3. 应用广泛
- k+ v7 T$ O5 h9 [# o# ?% s7 i
+ Z7 M1 x& E& n; P* S& [发光二极管芯片材料磊晶种类

1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

  H8 c5 ?8 ]6 ]2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
  i- K6 I2 }" d3 r  p" g9 T( e3 l
3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
- t; C. M/ q& E
& K, J  }& F/ z$ `9 e5 U  U) W3 r4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs
9 m' V# v0 i" S2 w
4 H0 {$ G: m0 |1 [" z" `  R' q6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure，  (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs