LED芯片分类

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1.MB芯片定义与特点
" e2 z* d0 e$ T
9 m1 R$ u% f  K* d定义﹕
& k- U4 t# y3 n# H2 S* Z& b       MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品

特点﹕
     1、 采用高散热系数的材料---Si  作为衬底﹐散热容易.
) U+ V! S0 |; g& K# ], J
Thermal Conductivity
" C! _9 P" `' G+ HGaAs: 46 W/m-K
7 L6 Z6 v5 A4 w$ K. {GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K

2 Z; j5 p5 @4 W- a" ^" H     2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
3 j# c  m+ `# {; F4 L& B     3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4   倍)，更适应于高驱动电流领域。
: i; z0 G1 h. r. i) O     4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
8 Q: s) L( s. a1 y+ T+ \$ |     5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB
2 |  E. H3 W& K6 X
2 K0 H( C1 b. |2 z2.GB芯片定义和特点

定义﹕
# Q6 ]9 U; B1 q) i- Z; l7 T       GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
' q  i% _# ^+ B7 S) n特点﹕
         1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
         2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图
7 C, `8 i. H$ h         3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)
% H# D2 H1 `/ D0 D$ @& e         4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
3 R3 u) S4 |) J
! o4 T- `, V# G; q$ m$ d3.TS芯片定义和特点

# B$ E' l- H' b" {定义﹕
       TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。
$ y) \' i" r- Q7 A" l+ c/ N7 Z
" ~+ P6 n) S% J6 ?4 ?& P特点﹕
9 w; t0 W* ^! c! D, ?5 L& |    1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED
) |# {2 ], {3 X: g. x+ M    2. 信赖性卓越
    3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
    4.应用广泛
7 w; I  y4 W& v: x( @
4.AS芯片定义与特点

定义﹕
       AS 芯片﹕Absorbable structure  (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.
      大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

/ H$ A, {1 q! q2 j' Y特点﹕
1 _0 [2 }* Z( {3 Y9 {. w+ K+ c    1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
    2. 信赖性优良
8 [( e4 z( r6 |1 }    3. 应用广泛
! H" E9 I1 E" m  F5 K- e
, ?; o4 J. p' e0 w2 q  l2 s  y1 w发光二极管芯片材料磊晶种类
! O# o0 p/ T# O; o: z: t5 r
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
+ m/ \# N# p9 [+ D4 A/ _
" T  G4 ]: w7 b2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
- w/ y% i5 a9 E) }0 J' \* ~
3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN

( D, b9 F9 }5 c, k) s9 H7 ~4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs
9 x5 R% Q& q7 ~/ n' X2 S( S' ^
( ?3 _- I% L. o6 z' i7 e  ]: w6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure，  (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs