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目录：
6 Y/ b1 r8 w5 Z. ^# b) e. V2 I% A1 b# D& p2 q% i
先进可靠性分析导论
1 [$ o6 [# k% j' B ┃
% f; @9 e. s3 p' c$ s6 C+ L ┣第一部分 概述
0 ^+ X" ]* G1 j6 D1 A' c F4 ? ┃┃# K' `* r3 u" ^
┃┣1.可靠性工作的目的3 J4 `4 a+ x0 P, t% ^7 M
┃┣2.可靠性工作的理论基础
1 t. A% G5 m2 E4 r, u ┃┣3.可靠性工作的核心途径3 G, C- W( g+ q: c; W& {
┃┣4.可靠性分析的入手点
$ ^0 \$ g8 j' j1 h/ [- m ┃┣5.研究失效问题的工具
2 m# }+ i p1 Y' l ┃┗6.可靠性数据
" Y0 K7 R. g" ~& J/ {2 s- F ┃
6 ?% i) c# I1 [, i8 H ┗第二部分
: d! f2 p1 s- a/ V$ {, e ┃
, e0 K) K/ E/ {5 M9 H: O% O6 f ┣第一讲：失效分析概论
( t6 Y. O6 J( z# P ┃┃) E/ Z- i8 b0 F' G
┃┣1.基本概念
! I( i. g; s6 I! e! ?$ F2 M9 c% q8 ? ┃┣2.失效分析的定义和作用0 ?3 g* Q$ Z8 N8 p( [8 g
┃┣3.失效模式
" K- s4 e/ ^, v$ a J ┃┣4.失效机理
+ S2 L4 |! p) V5 c" W' f& j4 a' w ┃┗5.一些标准对失效分析的要求
! k5 j/ j8 j3 L% |# O _# u ┃: K( ^! W1 Y3 e( q! k. C
┣第二讲：分析技术及设备/ D H! y) d% s+ h
┃┃" N3 f8 Z- `0 B
┃┣1.失效分析程序$ p' w7 ^0 o3 t0 f
┃┣2.非破坏性分析技术" C! ?# N+ b. W% h2 s4 e; ~
┃┣3.半破坏性分析技术
) ?6 b7 a4 X7 e ┃┣4.破坏性分析技术/ ]2 ~0 K9 B, j* p Y7 y5 a! T
┃┗5.分析技术与设备清单
. [7 M' [" n4 Q/ A2 V ┃
- ]! Q0 c' c% w" z ┗第三讲：失效分析典型案例2 V, I# N* U, p3 H5 R; w8 F
┃. D) P4 x; @# U, s P
┣电路设计缺陷引起的失效6 `3 e2 v+ P8 f5 w
┣CMOS IC闩锁效应失效5 Z# d' s- i' g( L3 k
┣ESD—静电放电损伤失效- ?$ w) B. R5 ^) M
┣过电损伤失效
, l5 ?' M3 K' A3 N. V5 { ┣电腐蚀失效
* t3 J4 s5 r4 o ] ┣污染! h" c6 J2 C) E4 g0 z# W6 b. X- j4 H$ v
┣机械应力损伤失效% t2 Z* ^4 N R
┣热结构缺陷引起过热失效) t; y' i [6 c; S
┣材料缺陷案例% V; `/ \1 {- k4 B0 X
┣工艺缺陷案例2 G- Q( K! s2 ?$ d* G5 g. T- u: e
┣寿命失效
: S2 R) m4 X8 W [! Q ┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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