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目录：
* a# h( q. q/ I- @3 _' |3 F
- g- p/ d" f; g先进可靠性分析导论& a) m9 c+ y+ n4 }8 [1 r
┃
5 D9 E. p9 L2 } ┣第一部分 概述, i: `+ z% ~2 G3 {( b8 n
┃┃
( k$ M! p. n! Z: ]+ A6 a) s6 L% V ┃┣1.可靠性工作的目的/ |( r" C- R2 I; O, ^! Y7 X
┃┣2.可靠性工作的理论基础
6 Q1 N2 J1 q* `( _ ┃┣3.可靠性工作的核心途径
. T* M6 L1 W s8 j7 `) @9 w ┃┣4.可靠性分析的入手点9 f# V8 c2 _' v1 w" _) y! b
┃┣5.研究失效问题的工具, A! d5 I. _1 a& G: b [- u# x
┃┗6.可靠性数据$ r( N7 f5 s2 Y; b; a/ N
┃. M" K- z* P* Y2 h
┗第二部分
+ N& m% N) c; T& V- l ┃ c, E) C2 N1 Y# X
┣第一讲：失效分析概论0 i2 v) K" u- o' P
┃┃/ v! k x3 v k8 i P6 [
┃┣1.基本概念
K! j: v" C3 [. W8 W& D ┃┣2.失效分析的定义和作用- F* l6 e# X" F+ s, v: e0 {
┃┣3.失效模式
" W5 P# I. k1 C0 B& X ┃┣4.失效机理+ b* u7 Q- o" {6 ?- R# [. B
┃┗5.一些标准对失效分析的要求4 }9 G) e0 }& L8 b [, g+ }
┃7 v: g" P/ e! x
┣第二讲：分析技术及设备
6 r3 Q) ]/ |0 d+ i ┃┃
8 v6 ^$ d+ u6 \) D) x/ c. i! y7 p ┃┣1.失效分析程序- |% U) X' R9 k* Q$ \# V
┃┣2.非破坏性分析技术
. m5 {1 W R& [- e. G8 H, g ┃┣3.半破坏性分析技术" j- O* l3 ^$ h, }& Q: n; h
┃┣4.破坏性分析技术( {1 G6 D/ ~) R# k& O6 z- ~
┃┗5.分析技术与设备清单% Z5 F5 U& s1 J9 g5 ]2 M
┃8 X* i% l9 ~/ H; A8 w
┗第三讲：失效分析典型案例
0 L$ g1 N. F3 ]' T4 u2 t ┃
' T7 z8 F2 @7 W ┣电路设计缺陷引起的失效0 V$ R% c5 A7 r$ f
┣CMOS IC闩锁效应失效
& { C8 r/ E n# }. b. H ┣ESD—静电放电损伤失效
2 W2 ]7 t4 {# ]! @3 s ┣过电损伤失效
+ L4 P9 c; Y' H ┣电腐蚀失效) g D; F( m* o
┣污染+ H: E, n( y$ M( c9 o
┣机械应力损伤失效
, @5 x, b9 Z% P3 b6 X ┣热结构缺陷引起过热失效$ O% m: x1 L& C& N& i. E
┣材料缺陷案例% ~$ x+ ^# X& `: A% \6 h
┣工艺缺陷案例
$ j% g0 K6 N0 M& F ┣寿命失效7 @9 m- Y2 x5 `* ]! J8 \7 R
┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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