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目录:+ q3 c/ M* n- b
5 a6 }2 E; i" P先进可靠性分析导论( H/ u, J* t' h
┃& n( w; Y3 `1 M% E, C0 H
┣第一部分 概述
% X0 t/ i2 @* F$ v; X ┃┃7 N. i' {/ s H- r' K* t
┃┣1.可靠性工作的目的+ S$ J0 p. I! e1 B4 n0 S; e1 D
┃┣2.可靠性工作的理论基础 M- s, k; |- g& B% Z
┃┣3.可靠性工作的核心途径
7 m( k0 _. e/ z1 O8 J ┃┣4.可靠性分析的入手点 R, Y6 T4 C" u( \' d
┃┣5.研究失效问题的工具$ j/ k* r, V2 J+ s* S: r" \1 P: P
┃┗6.可靠性数据
$ I1 _4 Z, s% `; s+ q& v ┃
) c9 ]: t. U0 s! a D' L ┗第二部分" u% v+ G" T/ m; p/ ?
┃; z" ~: O. z- u! P, w( l( o8 ]- m
┣第一讲:失效分析概论( m k. k+ F% ]
┃┃: J: p: a5 C* W9 s+ A( C* n
┃┣1.基本概念& d ]% m, {! O- K3 x j
┃┣2.失效分析的定义和作用5 y ~ \& c/ g% n
┃┣3.失效模式
/ l) ^1 y5 t" u2 c ┃┣4.失效机理
8 O# {, v" B! Q* v) a7 m ┃┗5.一些标准对失效分析的要求
$ i+ V3 a( O4 k9 p, K ┃2 F4 R; t0 i8 U: A; s" \; Q
┣第二讲:分析技术及设备
4 Y) q) }8 z; I# S( ? ┃┃" h9 s& V" {# X9 L$ j9 p- o
┃┣1.失效分析程序( n5 k5 p$ o4 z( d$ W, G7 z' M8 K
┃┣2.非破坏性分析技术! D# {7 i0 L8 O2 d5 K
┃┣3.半破坏性分析技术" ?% m6 r. n+ `% B! |- A1 j
┃┣4.破坏性分析技术; Y0 p; j% l# U% U
┃┗5.分析技术与设备清单) P8 g, P1 F5 s) Y* V ?
┃5 k; c& s7 \4 |" h
┗第三讲:失效分析典型案例
2 e2 J; ?8 r" |. n- ]& d. | ┃2 E( Z- W5 g7 G3 J5 T* E
┣电路设计缺陷引起的失效/ [% e1 Y& S+ r) i. l7 V
┣CMOS IC闩锁效应失效
6 P1 w( r9 t+ o) E/ Q% Z) A' G ┣ESD—静电放电损伤失效
1 j( \; [; T) O7 f( ^8 o* ]8 s ┣过电损伤失效
) k: V, Y3 c6 }+ ^' w: y5 J ┣电腐蚀失效$ \% f; ?2 `5 O# j$ V. }' h9 Q4 t
┣污染
4 {, x \% z) n ┣机械应力损伤失效8 l; l4 M) `6 z) T) H
┣热结构缺陷引起过热失效: g! F ]! {# Y, _1 x' ]" m- e/ @' g
┣材料缺陷案例
* l( y; ]1 g( t ┣工艺缺陷案例4 p# f% Z! n* k
┣寿命失效
& c) ?$ C' ~8 ]( A- R) o$ \ ┗小结 |
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