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目录：
4 C9 W% P; ~- L4 u
1 A% G! v& W& C( X# p2 b; M先进可靠性分析导论
' i) J, J7 `. n! W' _# J6 [3 V! m ┃" V& Z+ A1 Z- o7 W+ g
┣第一部分 概述3 T+ H6 u5 j/ k- `
┃┃
9 z. ^8 q6 }8 n T: u3 K ┃┣1.可靠性工作的目的
$ N9 O3 L+ {2 p4 D O; ^6 e5 b. @ ┃┣2.可靠性工作的理论基础& g5 S% U; `* `+ E0 w4 W6 |
┃┣3.可靠性工作的核心途径4 ^& ]" D& c+ O7 [" _" i
┃┣4.可靠性分析的入手点! u2 C9 c' i0 p: R7 o0 D' K
┃┣5.研究失效问题的工具! `9 K, @1 Q7 [2 R1 [" P, B
┃┗6.可靠性数据
2 X% S+ s, t) T5 Z ┃! Z( J& x0 }: p" z! N6 X5 w
┗第二部分+ g5 Q, R* Z6 K3 q, `8 P2 {
┃
+ m" ~3 f3 {' I& J ┣第一讲：失效分析概论
3 P+ q/ B0 a: Y7 v. J+ u# ? ┃┃) c0 j9 x' r* ~, ]) t# c- \% D
┃┣1.基本概念: \/ M" o5 L3 q& l6 F5 m
┃┣2.失效分析的定义和作用+ X: m$ L& o$ J5 l. t }
┃┣3.失效模式
. ^4 v5 V' U: I5 @ ┃┣4.失效机理
0 g3 u V ^* i ┃┗5.一些标准对失效分析的要求 _$ ~1 l j& G/ b
┃
% j2 {! g1 i$ Q& [ ┣第二讲：分析技术及设备1 D9 o5 a3 h" {& k+ }! i, J
┃┃* p$ l% h/ Q$ E4 Q @
┃┣1.失效分析程序
% M1 d( H4 y4 m! p) j6 [: V ┃┣2.非破坏性分析技术
& S; H) g$ U" {3 O, @ ┃┣3.半破坏性分析技术
: W8 A3 @3 v% M ┃┣4.破坏性分析技术 B4 W9 p4 p8 j& t* n
┃┗5.分析技术与设备清单1 B0 ^0 l' f3 S! G* g' w. L0 R& u
┃5 h! T; f" g8 {. K5 J
┗第三讲：失效分析典型案例 ?/ }. n1 O) a; o
┃
$ k7 n# Q+ e, R' h, k ┣电路设计缺陷引起的失效+ x1 [' i% D5 a% e; ?, \( j0 F/ g
┣CMOS IC闩锁效应失效/ f! L: S* V1 M: |# t( W
┣ESD—静电放电损伤失效
, u8 X1 @6 O: J& t# O6 [1 h ┣过电损伤失效6 |# R/ E8 A5 l
┣电腐蚀失效
/ M/ N6 w/ ?5 ]* t+ C" ` ┣污染9 L0 H7 F3 j' H
┣机械应力损伤失效1 b# t A& Z0 o7 r; j/ T' V c
┣热结构缺陷引起过热失效
0 a' p( R) G3 `. o ┣材料缺陷案例- D$ p! L7 G2 I7 S) L) r; p
┣工艺缺陷案例, ~# t4 H; b; Y$ R! q9 i
┣寿命失效
6 L% C6 `7 w h6 l& |4 V ┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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