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目录：* w! \" t! F0 M/ I
3 g6 V. x9 k' F1 L! |3 T5 c先进可靠性分析导论
+ l: I- V l9 j3 X/ P ┃* f9 a2 Q" a5 L# V! N+ g- y4 Q7 D
┣第一部分 概述3 C% u9 H9 s# x7 g
┃┃7 V: D% Q0 ~( }" h7 m4 ?; J( i- \7 d
┃┣1.可靠性工作的目的- N) ~& j ]6 W: \; B8 p
┃┣2.可靠性工作的理论基础1 e) v+ a+ d" E( P+ w( T
┃┣3.可靠性工作的核心途径( y7 }2 {9 a) Z% S, u; c" L: y
┃┣4.可靠性分析的入手点
# x8 j/ Y$ n) K, F$ w! c. J# E ┃┣5.研究失效问题的工具
' @0 x6 N8 M4 `% P5 W ┃┗6.可靠性数据* P) d- p3 j) U& z
┃
A3 x" m% A; p# A ┗第二部分% ?; e" x! J |
┃) o, E. G+ N# w- p
┣第一讲：失效分析概论. V- F' i, ^9 Z: y. z2 g
┃┃
& d) h6 T& y. x ┃┣1.基本概念5 |" [2 O9 k6 b3 K7 G! k: `1 Z0 v
┃┣2.失效分析的定义和作用; u0 ?( h* L9 O u0 d/ x
┃┣3.失效模式
) h$ {" E+ q9 N5 I ┃┣4.失效机理
/ G4 l4 `9 ?, Q) k6 X ┃┗5.一些标准对失效分析的要求
- [) ^5 J" J6 v* J! b% d/ J+ u7 R ┃3 j( f- R2 ]0 T7 h: r
┣第二讲：分析技术及设备! _# _; J! [4 ^5 {9 J
┃┃
' I& c* Y3 p% q* H ┃┣1.失效分析程序 e+ o* i# ~( k5 R$ s( g
┃┣2.非破坏性分析技术
' J" z1 M/ o2 O$ y% R' c$ p ┃┣3.半破坏性分析技术; L; J* I R9 {1 v( X, a- t9 R) ~: T
┃┣4.破坏性分析技术( z. _3 j5 ^( p5 l5 ?/ i
┃┗5.分析技术与设备清单$ |7 G2 l& {* k: P: A# }/ ?; M
┃
3 a5 }% a" ~! W) `2 q- Y ┗第三讲：失效分析典型案例! G: d8 {" b0 q/ I
┃
! l1 p* _5 i6 v8 [+ g% f0 Z$ m% x5 t ┣电路设计缺陷引起的失效# O2 S4 z1 Z9 m- y8 [
┣CMOS IC闩锁效应失效8 x; Q% u0 c; }9 N/ Z' w3 X! F8 Q
┣ESD—静电放电损伤失效2 f, E; _. }9 I6 S: x
┣过电损伤失效) l( V1 R( \3 C4 N' m/ J
┣电腐蚀失效8 M+ H+ S4 }. }; T" ]
┣污染
! r) m. A! y, L$ X, x$ q p ┣机械应力损伤失效( L# f6 p. |, |/ g! G! L& u
┣热结构缺陷引起过热失效4 q4 [; E: O6 a' H
┣材料缺陷案例
- a. Y2 b) D" w ┣工艺缺陷案例
- B- H# p+ A* ^6 Y ┣寿命失效
8 X# J4 D6 ?8 B ┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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