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目录：; J% T# q5 B3 j4 u! K2 `# `. l) R* {
, e& @' Y8 _' B1 s1 J. u& b, B先进可靠性分析导论
# o; K; |5 e" b" i* k1 K4 A ┃
& N/ W3 U* N+ y% y& \$ R! l1 _' ] ┣第一部分 概述
' E# i8 T1 }/ B0 C2 Y9 H ┃┃
1 M# s" m5 N/ |. W; B9 y) W2 O ┃┣1.可靠性工作的目的
$ G8 ~" O1 M5 r: o ┃┣2.可靠性工作的理论基础 [: K) M! C' Z: s$ p9 Z
┃┣3.可靠性工作的核心途径
$ u( |# H W' |2 L" d ┃┣4.可靠性分析的入手点
! n$ a# g0 g+ n+ N ┃┣5.研究失效问题的工具7 G2 l( K0 O, l" A# V9 |! V
┃┗6.可靠性数据& W# ], P( j% h$ z' I1 d8 k% @+ o
┃& ~* h) _# Z4 |
┗第二部分
: I" X5 x! {7 y& m: _0 D* m ┃2 K7 Y- d9 V7 b- P- I. Z
┣第一讲：失效分析概论 e3 b9 J" g2 ^2 q! R: C
┃┃/ I0 H4 N% y% C/ x5 e; [. `' J
┃┣1.基本概念. L& C2 c1 v$ N* y
┃┣2.失效分析的定义和作用
% G) a: m$ H; T7 ]% S4 |5 \ ┃┣3.失效模式( C4 i. _# J! N3 u" Y
┃┣4.失效机理: E2 Z5 ]2 e( u
┃┗5.一些标准对失效分析的要求" h3 `' i- i7 G: |5 `' C
┃
7 `3 B; ?& ^9 |6 D ┣第二讲：分析技术及设备
$ |- e- }0 @1 N1 Z5 P& _ ┃┃% M0 x4 B6 L# k3 o
┃┣1.失效分析程序
+ ]; ` P1 |- J2 s5 T! J ┃┣2.非破坏性分析技术
- Z- m* T9 ~/ y$ E3 K% K) ` ┃┣3.半破坏性分析技术
6 Z& R: L- Y7 K! o ┃┣4.破坏性分析技术$ A0 s7 p2 M& A. p& j& C: y
┃┗5.分析技术与设备清单
$ j' O+ M1 w4 t g. K9 F$ | ┃ l% N, c' g) ?( l
┗第三讲：失效分析典型案例
3 I; b, n& q+ `4 V# G/ }. P" \ ┃! h) R# Z5 ^! U
┣电路设计缺陷引起的失效% q* c8 t# r3 n# |! z3 s
┣CMOS IC闩锁效应失效4 B, z" q) S" ^2 k+ S
┣ESD—静电放电损伤失效 S; f6 u/ p1 q+ \' s
┣过电损伤失效/ d0 N, X+ x, K1 {; z
┣电腐蚀失效2 i( \% M/ _- x" N) c& G( r
┣污染
9 y) J4 k, E; u/ ~5 _$ t ┣机械应力损伤失效
$ }; H, Z+ _/ c% X; `, J* i$ D ┣热结构缺陷引起过热失效% `, y; u2 I F- h+ v9 |
┣材料缺陷案例0 F! R/ V# @: D7 I' M
┣工艺缺陷案例0 ~( g5 {" Q( t7 g
┣寿命失效6 I2 j e) N1 e0 o, Y$ s5 D) \ P
┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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