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目录：$ H% |2 q3 c, x& C
0 S0 U$ {5 y1 z: l0 S9 k; ~6 h
先进可靠性分析导论# M% B; [, v( l, M3 L
┃
* {2 _. G( M2 F) w L7 n; v ┣第一部分 概述' V( F3 O9 b! K2 ?
┃┃( U9 L' T9 u$ l& g7 U) B: v' R @
┃┣1.可靠性工作的目的' W6 H0 X- e- q3 t/ s9 G
┃┣2.可靠性工作的理论基础! u0 O0 N" ^& |# ?0 ^0 ?
┃┣3.可靠性工作的核心途径% U4 l+ @+ F/ B. z# B
┃┣4.可靠性分析的入手点
5 D5 I( `2 s# b ┃┣5.研究失效问题的工具
7 v' r0 \. j* n2 f" M5 R0 K ┃┗6.可靠性数据2 R/ [& h& H$ C: r9 d; d
┃1 j7 @6 [& W4 r7 i
┗第二部分
9 v9 K0 A; c2 Y ┃0 y$ D, M6 n( f2 v4 T/ Z" A
┣第一讲：失效分析概论3 e4 c( U/ s k7 V$ R- @* r: a
┃┃/ @- w; g n4 ?; w5 d# g. [
┃┣1.基本概念
2 F) u8 @, w4 q3 P ┃┣2.失效分析的定义和作用
7 ^1 d% j+ O. P) \ ┃┣3.失效模式. C# {$ K8 r$ t
┃┣4.失效机理0 L$ t* M7 k- {6 {# D0 }
┃┗5.一些标准对失效分析的要求/ W7 O* U0 y% m" r( y, G; ~* v
┃
- n1 @5 ]3 m: o9 u$ |, E, X ┣第二讲：分析技术及设备$ q2 A6 O, k% G0 b" ^8 \
┃┃
; F6 T- U: ?6 e7 A* s6 h ┃┣1.失效分析程序. c. D: w, W5 R; h
┃┣2.非破坏性分析技术: F+ X0 F5 `/ ~1 L, [
┃┣3.半破坏性分析技术
5 M+ k; Z7 A) B; U4 k+ P0 V% r ┃┣4.破坏性分析技术
! p1 f% E) R" U: |. T# S. b ┃┗5.分析技术与设备清单/ s R! f$ h! a" \" g' l
┃+ G- P8 A4 C) ?$ d3 H% A, o0 l8 _
┗第三讲：失效分析典型案例; E6 n/ q( D3 B+ ]8 A' h1 |+ V E
┃
; _1 i& _" \; c ┣电路设计缺陷引起的失效; a/ [5 x. q. u: m" {
┣CMOS IC闩锁效应失效
$ b1 j! P/ [# l ┣ESD—静电放电损伤失效8 R+ z; b4 z$ L! X$ ^- V
┣过电损伤失效/ _: Q( U% H: o- p* k
┣电腐蚀失效9 `4 s! z7 L& Z
┣污染
' ~2 q3 C: D" ^% D ┣机械应力损伤失效
( W+ C" h6 U3 w5 }0 K0 ^ ┣热结构缺陷引起过热失效
& b1 n$ S) _0 ?9 A ┣材料缺陷案例
' Z6 X* `) J! Z0 Q4 B ┣工艺缺陷案例
2 r7 N' b/ q6 s5 k% t2 D ┣寿命失效
7 h: e4 i# P Z4 F- k ┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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