求助(IEC 60335-1 １９章电子失效的实际操作方法)

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如何对MOS 做IEC 60335-1 A2 cl 19.11.2 g)的测试？


节示标准如下：
3 s) `! p) u% D1 Z3 u2 K
+ m7 a+ w4 m2 U* q) v( q" U7 ~19.11.2 g) failure of an electronic power switching device in a partial turn-on mode with loss of gate (base) control. During this test, winding temperatures shall no exceed the values give in 19.7.
7 l/ Y* p. c: m5 P7 w: W' d5 z
- _9 ]# S. v6 g% b- G$ B* S6 TNOTE 3 This mode may be simulated by disconnecting the electronic power switching device gate (base) terminal and connecting an external adjustable power supply between the gate (base ) terminal and the source (emitter) terminal of the electronic power switching device. The power supply is then varied so as to achieve a current that will not damage the electronic power switching device but give the most onerous conditions of test.
. P1 I& o# T: M/ [5 R# b+ X4 v3 e
) f3 _5 y7 q0 ~( P5 h  U  b
* R( ]& q0 E& l/ j
标准的意思:
9 `  W1 A+ L- a. |9 x. [
$ P7 _; E! B% K* B将MOS管的栅级断开再外加电源为MOS管供电，目的是要模拟出既要MOS不烧坏又要出现发热的最严酷的情况。标准上只是说了个原则上是：既要MOS不烧坏又要出现发热的最严酷的情况.

但是实际操作比较困难!
+ L( ^0 {  o0 |! B" _8 {1 y( ^3 ]; R
0 O  Q9 m6 g" H% X. o  p# A那位大佬有没有比较好的办法分享一下?　谢谢!