关于EMI方面的，对于不同频段干扰原因及抑制办法

WANGXINGJUN · 发表于 2012-9-11 09:01

关于EMI方面的，对于不同频段干扰原因及抑制办法：
1MHZ以内：以差模干扰为主，增大X电容就可解决大部分问题；
1MHZ---5MHZ：差模共模混合，采用输入端并10uF的X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决；
5M---以上：以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法，对于有外壳接地的，在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减；

对于25--30MHZ：不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCB LAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环，最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器.；
30---50MHZ：普遍是MOS管高速开通关断引起，可以用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路采用1N4007慢管，VCC供电电压用1N4007慢管来解决；
100---200MHZ：普遍是输出整流管反向恢复电流引起，可以在整流管上串磁珠。

madeinnp · 发表于 2015-3-31 15:49

呵呵，学习了！

sunun · 发表于 2015-3-31 15:14

学习了，谢谢

qxhaas2008 · 发表于 2015-3-7 11:02

学习了···

iamcjq · 发表于 2015-3-7 09:21

很宝贵的经验，谢谢分享！

qe10 · 发表于 2014-10-22 08:13

学习了，谢谢

TZX1976 · 发表于 2014-10-21 22:58

"采用输入端并10uF的X电容"------X电容最大也就是1uF, 要并联10个？

leaphile · 发表于 2014-2-18 22:24

本帖最后由 leaphile 于 2014-2-18 22:27 编辑

yuqijun 发表于 2014-2-17 15:12
8 m1 ?% n' @3 |+ Y3 ^8 k. O可以问度娘去呀

偶是新手, 很多事也不懂, 才问的

上网见 RCD = residual current device, 但觉得在这里没可能是这个吧, 故才请教各高人的

yuqijun · 发表于 2014-2-17 15:12

leaphile 发表于 2014-2-10 00:09
, {6 {8 `; i/ L0 l0 ]学习了, 谢谢!7 J) Z j% i: T$ z5 E c

) w' m1 m& @) c9 {4 d3 R弱弱的问一下, 请问什麽是RCD?

可以问度娘去呀

leaphile · 发表于 2014-2-10 00:09

本帖最后由 leaphile 于 2014-2-10 00:47 编辑

学习了, 谢谢!

弱弱的问一下, 请问什麽是RCD?

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