LED芯片分类

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1.MB芯片定义与特点

. [9 m: }! m4 q定义﹕
       MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
" `5 R. |% J& G7 z& z8 i  [/ L
" Y/ f/ T! G6 ^6 J特点﹕
     1、 采用高散热系数的材料---Si  作为衬底﹐散热容易.
: I! _* [9 D4 e0 g" p* \) T8 c
; t5 ?5 U1 F4 v7 [0 Z: K- K8 m1 {Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
5 v: s8 |; z: C/ j) `; U% f+ HGaP: 77 W/m-K
, `6 G, j* F* ]Si: 125 ～ 150 W/m-K
0 R% [1 ]) f% _+ BCupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
0 c0 r+ t' B+ Q; @  {9 z
     2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
     3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4   倍)，更适应于高驱动电流领域。
     4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
4 f7 x1 b8 ~: @; f2 K' _6 _4 H     5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB
9 p6 E* F' }5 v) l
' u9 T5 E& ~, |, g( w2 `2.GB芯片定义和特点
& j; N& x( \( K; L; t
) A, Y0 j# s7 B* {0 F  z- H- q定义﹕
       GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
& Y) G' @$ n) ^/ f特点﹕
  q& y2 O4 F/ p% b         1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
, b6 M: v  \  Q         2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图
         3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)
         4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片

. G% `+ I( c$ B3.TS芯片定义和特点
7 S& r% ~( \, ^+ }" [" I" ]
8 W5 M! s& \$ k定义﹕
0 l0 n% g2 n+ E. j       TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。

特点﹕
, S8 k" E. ]' o% c  q& Q  y    1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED
    2. 信赖性卓越
$ Z6 G! t) j3 ~; A; k& o) f2 y% c    3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
    4.应用广泛

4.AS芯片定义与特点
5 g  v% _7 }3 u0 V
定义﹕
       AS 芯片﹕Absorbable structure  (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.
& W" s. H% q% b3 U5 s6 T4 I; T      大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

特点﹕
" R7 h6 c: B" ]% C3 Y2 {6 D    1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
    2. 信赖性优良
    3. 应用广泛
1 j$ o4 p  P. |' \. p5 d; O
发光二极管芯片材料磊晶种类
" p# E: b5 W. W( D% K
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
  d8 J" w! C/ s7 N. s% k
2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
2 k  c1 p0 i7 f; y7 }
: u3 @* w( E: Q- o. g6 O1 B3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN

4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs

. A. R- X% J/ _+ h6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure，  (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs