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1.MB芯片定义与特点
2 @' y) m" @4 H( o
; G8 K4 v& E8 D. A- n定义﹕1 d- ^5 ~ E& U7 i- s. `& v
MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
+ T' K) C* L% Y6 H, U$ ^7 x$ ]. s9 a q
特点﹕7 }& w w; N- a( _
1、 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易. & A: i- ?" H5 d @7 F
$ h- m+ ^3 M# s7 { VThermal Conductivity! `! n+ c+ A/ C$ Z# ^! M
GaAs: 46 W/m-K) A! r( M5 t5 H( E3 s
GaP: 77 W/m-K% Y2 F- N& @! C; s2 r4 k- }
Si: 125 ～ 150 W/m-K
$ M6 S ~' L" S9 H, [8 L w& dCupper:300~400 W/m-k
" X# Q7 ^0 E* ?$ ~SiC: 490 W/m-K
$ W; o9 X9 M, n; k0 R6 O& S# ]( |0 Q
2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.4 q- M7 F7 ?0 ?) ~8 G! u
3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。; X9 ^, _( N2 o8 ^
4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热4 k* r. i# S: Q# I5 V) C8 }
5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB4 v1 b6 K. m4 j9 `5 l/ u5 K
! l, j3 Z6 o5 k' K ^8 P b2.GB芯片定义和特点1 x. V' n) ?/ N% O
; n) \3 O; m' J0 q' [
定义﹕7 \8 z$ W! b8 s; |
GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品& ~ v7 _6 {; E1 C5 N
特点﹕; C& K6 N; r4 j( \
1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
/ Z9 p* S. t- ^2 j 2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图
# D: k6 A) @1 m5 C8 [4 i( ^ 3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)
, h/ c8 N P0 D5 H 4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
, v3 S4 F/ h4 i* R! p# V ~# |! K
) F* s# e6 p# B0 N$ c/ l3.TS芯片定义和特点9 x( K7 b$ {: O9 w4 P
0 u9 ^2 D0 t# J, I( a7 A4 i: q定义﹕
4 Z$ w) T; Y* W# @ TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。
8 a3 V% a8 _, T( \9 E- Z Q2 t. \; u/ ?- L/ |4 f" G! F* l( H* Z" [
特点﹕
7 T' Y# f7 M( L3 `" B8 q* y4 e- P8 d) o r 1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED8 Y% a1 Z \' x" g9 \" X) e! |
2. 信赖性卓越0 n) O$ [( Z X R
3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
8 D$ I* K6 P$ Y% g8 i Y, L8 o0 G; D 4.应用广泛
- W8 t0 p0 B: R( c( ^
" Y6 i/ D* y- H5 s4.AS芯片定义与特点
" `' d) ]/ g: G5 g' {
/ g( y6 m8 h6 w定义﹕
* v4 }* q% G+ e* [ AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.
9 n6 ^+ `8 E* C0 \9 {. D6 a 大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
7 E' B9 |7 A G
* n( F) w3 P# v特点﹕# B5 ^" S( K4 H* c+ a
1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
7 N& [) q6 v6 i& ^- X1 _ 2. 信赖性优良
5 F; A% H5 T6 _; v6 K# ^ 3. 应用广泛
7 f% d& R% I( E8 T9 K7 ?+ J+ \2 }5 e: @( Y& z0 r" k
发光二极管芯片材料磊晶种类- k; U& ~# s5 `/ T: ]" ^
" t' Q+ \. w% h) H7 o
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
9 s+ F3 p$ F" g/ S, o3 ~( k) [( J6 a2 N
2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs4 S9 @9 d' Z+ D4 t' Y* [
% _. [/ E: I: q- m3 O$ N
3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN! P+ [# C! M! y! t c" I: k+ P) }
0 c4 }( ?6 q1 Q
4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
1 o& h. ^; P( N r% B% h% g S0 h
5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs
$ M8 w4 R7 t+ S/ Q" k
8 ]9 n/ |- h9 d& v' v; }, }3 i6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs |
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发表于 2009-5-5 16:56
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