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标题:
LED芯片分类
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作者:
szbn988
时间:
2009-5-5 16:56
标题:
LED芯片分类
1.MB芯片定义与特点
' Y: `: R" {1 n, `/ S5 L
2 m5 v* y+ F% z# H6 H
定义﹕
7 a% c! Y7 n" O9 A2 K: o
MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
) t* G) _5 ^: m4 V0 E* j- j
" g$ C7 i. m8 f$ p2 h2 [6 \$ L9 f
特点﹕
; q x9 P+ {' t- t ^/ g/ ^
1、 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易.
+ u2 V! a1 L# B$ R! I8 N
* I) O2 s- \% S3 W* S
Thermal Conductivity
" Q& d6 h2 S9 V A6 O- \
GaAs: 46 W/m-K
4 _$ I- }2 l9 t
GaP: 77 W/m-K
( k x: h K- O) E! D
Si: 125 ～ 150 W/m-K
7 C2 M6 v, [9 G6 \8 c
Cupper:300~400 W/m-k
6 m: A, t+ W+ P. y
SiC: 490 W/m-K
& b8 j7 Q3 a; H y& U0 ~8 b, d
0 w3 w& R" b, u1 M5 E# ~
2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
* f% A! o( w6 q* q' A
3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。
. f7 z+ f" B7 [& D
4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
# X/ \) g( V7 t& ?1 R
5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB
$ c" y z' y, m1 A
/ h* I" ?$ B4 f/ A( c/ T
2.GB芯片定义和特点
2 C: o* a9 I! p' _; S2 a/ d n: Q
- {: ~2 l% g' u+ n7 a8 [& U/ ?
定义﹕
, t5 K! H4 L8 b5 R
GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
7 b7 y% J* n3 E( f) f
特点﹕
5 L' [+ R* ^, }( t
1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
) y( O0 j- C: {* a2 A. T
2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图
{* {1 e3 H0 {9 V9 W
3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)
, G5 B# n2 o$ b$ u" {% L- P
4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
, d# b9 n9 k. C) e
' y. W& i4 J( ~) I, Q
3.TS芯片定义和特点
- P4 w+ m+ i/ i. Q2 ?
) p0 l! C# ?5 [5 ~. F7 W
定义﹕
9 |: i0 ^7 F; R8 N d( M
TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。
8 b, W& |, w3 R
, ]/ o2 \! G; H( q
特点﹕
* w" G, X9 Z: }+ ?, t! u% D- i+ q
1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED
# L7 ]8 d6 y# X3 B
2. 信赖性卓越
$ c" c1 f. m. Z+ R, i
3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
! M/ G, S2 i0 r! b, z' A
4.应用广泛
. {& a' d+ _- m4 `# u D
% F4 b6 Y4 A% H6 p5 h
4.AS芯片定义与特点
$ m' |4 v# c& Q
4 p. W7 ?* A# g- W" O
定义﹕
' Q6 r% U* v. f! {" D7 _. l* p
AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.
6 z( P3 r# `; o9 J
大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
4 N7 @+ r$ G. S! M, ?& u
8 y5 v% Z; ?$ p6 ^) K
特点﹕
0 N4 F- ~* E) q u" u
1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
$ d$ P/ G) j/ n6 e" a3 r" a
2. 信赖性优良
Z& ~* W. C$ _
3. 应用广泛
2 O5 z! ^7 n" i% [1 L2 V a% i
/ z P7 U) v% n7 b
发光二极管芯片材料磊晶种类
# q) C& y1 m. k
$ C/ j Y% p1 G \1 `3 }8 i
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
) B% |# W2 D0 t0 R% ?
2 y" I# r' `- R Z5 `8 y9 O
2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
A' P: j& r& Z. J5 T
( Z# `2 h8 z5 v7 x$ G% w6 B# B
3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
0 ^1 E# x& Z5 a: w2 ]
4 I6 |# y1 y) B; b% I( ]+ T
4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
8 P' X/ {$ @$ Y& n3 B5 _- p
& o4 {! V9 j9 h# _8 e$ K. H
5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs
% `4 F+ K6 A, e( Q/ [( h% r) Q$ {
- y1 P6 Q0 I, X& z
6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs
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