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标题:
LED芯片分类
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作者:
szbn988
时间:
2009-5-5 16:56
标题:
LED芯片分类
1.MB芯片定义与特点
1 C" G9 @9 F& T% c3 m1 o: B
/ m8 T/ a8 X' c
定义﹕
" i7 |! m' n, u U$ T4 b+ d1 Z: }
MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
Q' u8 O; V3 R r( n1 n; [
1 c5 j- ?. H T- n, e# a; q
特点﹕
* p( B% B0 B8 L N, A6 v, V
1、 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易.
- c6 K% Y5 F3 `. q' E( ?* C9 B
! ]: w: q, @) A d
Thermal Conductivity
0 e+ }+ O: i4 U: ~
GaAs: 46 W/m-K
2 N7 _: q/ N8 ]" @
GaP: 77 W/m-K
, {& M0 P0 m& g( n6 t: |: S% `/ i
Si: 125 ～ 150 W/m-K
, \7 {3 |+ B% q: Z+ s
Cupper:300~400 W/m-k
! [) {# z- ?+ S* } n: H
SiC: 490 W/m-K
9 |, I" J) @. T6 `
3 t' e- t9 }0 g
2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
7 [. v4 \- w" D) m( [
3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。
: y0 w+ [9 a8 X9 H D% k
4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
' d5 \2 v6 _# ]/ L( A
5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB
4 d+ k: j( s* O I3 h' E
5 H! [, C: b- r* @/ J
2.GB芯片定义和特点
& E2 i, h M4 E& q0 B
3 d1 ]3 l) |' B& X; O8 R( v
定义﹕
2 R& d" O/ s# Q, L- k8 e( X) H
GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
! `5 b8 X) ^+ M' H) ?2 ]) [; o
特点﹕
% M# A& C% [* @# I3 t4 U/ M+ P0 T
1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
3 i# M& F9 _+ ~
2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图
/ _* x9 l8 k) k9 v
3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)
7 w5 I, z) F+ f+ z1 Z/ F
4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
/ H$ u: J# o5 Z) U! _$ S+ B
: I' z( e% l1 F3 q9 C( V
3.TS芯片定义和特点
9 r8 l9 j3 E- a8 [
0 g- B0 W8 M5 ?. o* a$ ^8 x- h
定义﹕
" h& _& ^4 d* {9 }- P
TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。
+ b) ?/ _5 x; D' g: R* S
9 \7 s8 d' i' L/ g
特点﹕
$ M" r h: z1 Z5 s* v
1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED
- Z* r' s3 Q: G* ^1 x/ ~$ w/ [/ {
2. 信赖性卓越
# o* I! ~) u/ Y3 |+ s
3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
6 q! w. T: b" F9 O% d9 {
4.应用广泛
8 f; j& r: E7 Q
7 Z! e7 T% \& _8 z$ D( q: b* n
4.AS芯片定义与特点
* Q- o( K. i/ e0 @5 B2 Z
- L$ x9 ]' P6 s4 K7 z& w' ]
定义﹕
: o* U9 D: T) ?: U2 S
AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.
% P0 i$ Z8 g d" \9 l; `8 T
大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
6 N; J' l7 [2 K, {6 ]! c- i' B
) ^2 z& j, J& K& q
特点﹕
. b0 e0 t3 y5 ?) E
1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
& P$ l/ Z x4 y
2. 信赖性优良
8 R* `) j" _, H1 \. O) E, }$ x3 G
3. 应用广泛
3 n% ~5 n7 } x6 y/ B
- `+ s, }, C& k7 [9 k7 F* L
发光二极管芯片材料磊晶种类
$ E# T0 k; G" p/ W
( k; d2 k# ]* W- T: g3 l! D
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
, L' n, T+ j X9 M& G
8 P, {0 g1 k* O% ~2 ^. |! d! y
2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
+ a: G7 e4 S2 w* m
0 L- j+ n& u$ u9 q6 [* N1 e. i
3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
/ Q( H4 ?( A2 X( w5 {
! D' D* K$ N" f8 @2 d9 e, N# @
4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
! a7 u# H! g5 D% Q, r8 d& l' F' @
2 Q& t+ ~" m7 B, W8 X
5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs
: G4 }5 l- E& ~
# b; N0 u* \# l5 L. G
6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs
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