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标题: 先进可靠性分析导论 [打印本页]
作者: awen    时间: 2007-7-16 13:08
标题: 先进可靠性分析导论
目录：3 ]) G2 _7 `% }

, n5 u2 H$ X. I( R% l( o) O, X: b先进可靠性分析导论. b) \( _8 Q7 O% v5 M
　┃
+ S: D1 C" K4 x7 q5 ~# e, o　┣第一部分 概述
, w. u% _4 G1 W+ S( \! A8 t8 y　┃┃% _" f. a' L8 f& ]7 Q( v
   ┃┣1.可靠性工作的目的) h9 @; e) L. B6 h4 }+ z
   ┃┣2.可靠性工作的理论基础! _9 N2 f  t9 w6 ]! i1 c3 b
   ┃┣3.可靠性工作的核心途径* o# C! U7 `" ~& ~
   ┃┣4.可靠性分析的入手点; l. x/ a3 L! B1 J+ |
   ┃┣5.研究失效问题的工具
. a/ u6 {  ~- B/ M   ┃┗6.可靠性数据
( `" _, ^1 ]% X   ┃/ P. m# I6 H, o: Q
　┗第二部分
8 W. m( d" v/ l% r, j5 s, d　  ┃) ?) ?: v! m! A8 G  b8 j
    ┣第一讲：失效分析概论$ \8 O) F8 c8 _2 C( p  j
    ┃┃  r2 Y4 s9 i; z9 \% Z
    ┃┣1.基本概念9 X6 Z& q9 r) u- I
    ┃┣2.失效分析的定义和作用
7 {* ~7 \* Y5 C( I* ]& o    ┃┣3.失效模式
9 t+ L; D$ y! G" B4 f  T/ |3 L/ ?6 s    ┃┣4.失效机理8 L2 @+ z2 v; o/ m
    ┃┗5.一些标准对失效分析的要求3 B$ O+ C$ v  E2 _9 B% ?/ x4 t
    ┃
  C7 @8 A9 i; |$ B, w    ┣第二讲：分析技术及设备" R- d: c6 u6 m4 Y) d0 H/ y
    ┃┃2 ?- b: Q/ S" K9 w4 A! n. i
    ┃┣1.失效分析程序' O* I1 m# E' X, D6 [- A, I
    ┃┣2.非破坏性分析技术  z! D7 r& ?; y3 N( A0 U$ l( ?
    ┃┣3.半破坏性分析技术
8 Z2 l3 E2 o( k/ Z; c# U2 Y    ┃┣4.破坏性分析技术
4 ^6 i: {; l# E. _8 s, q% ^& Y: ?    ┃┗5.分析技术与设备清单3 L. r7 e. I' S, p* i: |/ g
    ┃- |( K" @) l7 N" ^: {5 T# ^  _8 e
    ┗第三讲：失效分析典型案例
6 }0 M' O' B7 c. A      ┃( L: W/ N9 @0 h9 w* {
      ┣电路设计缺陷引起的失效
, z( `$ F3 X8 D) S$ J1 m      ┣CMOS IC闩锁效应失效* Y- R0 g. @9 L  y  a
      ┣ESD—静电放电损伤失效" @! I3 z. |3 e: C7 A& F1 E1 p4 I
      ┣过电损伤失效7 l# X( q( n- z) _/ c( ?
      ┣电腐蚀失效. f% a5 v% S& {" D" @# q, ~9 B
      ┣污染6 s! e3 [5 B5 x- Z2 U! z: s
      ┣机械应力损伤失效
8 @; Y( G! V# d: Y) Z; j      ┣热结构缺陷引起过热失效2 H/ I8 m- n& T3 v; f
      ┣材料缺陷案例, b" [4 U3 F: x9 d# }
      ┣工艺缺陷案例
% {3 ~$ T& ?. k. u5 T' f      ┣寿命失效+ z* |- O3 O0 ~' ~2 w# X4 i7 d  \
      ┗小结



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