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标题:
先进可靠性分析导论
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作者:
awen
时间:
2007-7-16 13:08
标题:
先进可靠性分析导论
目录：
, _" I" V8 S9 \! o- S }
( T1 x/ M; D7 B
先进可靠性分析导论
. V- u7 u L& o3 L
┃
9 N1 ~& E7 c) ~) y+ K9 w
┣第一部分 概述
2 T, o0 [% e# ?% k3 c
┃┃
3 W: p6 W0 w/ x/ B M/ m% A
┃┣1.可靠性工作的目的
8 F& }1 E% [: U- C# q+ V
┃┣2.可靠性工作的理论基础
B: w5 b! p0 ]2 g6 ]. M; D, l& ]
┃┣3.可靠性工作的核心途径
5 M K: }" R+ b" o3 @8 l6 o
┃┣4.可靠性分析的入手点
# r I( c; c7 @5 F
┃┣5.研究失效问题的工具
) D4 A! @9 s& d$ `6 [
┃┗6.可靠性数据
; Y8 K5 m- l( g1 c) w1 n- e
┃
% u2 e) m% e# R; u1 y
┗第二部分
+ W8 n! }. n% L( H& ^, X6 c& C. ]
┃
8 E3 m, N+ k; Y/ }! r
┣第一讲：失效分析概论
' @1 f$ G, C5 |
┃┃
1 I4 s4 \- c" S, k; U3 N/ W
┃┣1.基本概念
8 Q& K( L4 L% p
┃┣2.失效分析的定义和作用
5 q5 V. C3 l2 O2 K8 q
┃┣3.失效模式
. A& N2 ? k8 h+ a2 d2 w+ r
┃┣4.失效机理
6 N. R4 r% n$ Z1 D2 l% }
┃┗5.一些标准对失效分析的要求
( V( A, z4 V$ k- G
┃
1 d3 x) w3 W2 q4 T+ T
┣第二讲：分析技术及设备
# s4 t4 H/ w- p" X a; a5 g( A
┃┃
" M7 R" h# ]1 U" x0 Z d- q E
┃┣1.失效分析程序
; i1 A9 Z$ f0 E0 I
┃┣2.非破坏性分析技术
' P4 S2 V" o2 Q& P% k/ F& c/ u
┃┣3.半破坏性分析技术
n0 Z. C: S- l2 M' E: s$ W; K5 c
┃┣4.破坏性分析技术
- ]9 P! U* b- V# M
┃┗5.分析技术与设备清单
- F w& z7 K) T/ Y: z5 g
┃
) L, D. K. s" H* t
┗第三讲：失效分析典型案例
5 |3 c; p0 T( d/ d1 e
┃
+ O+ e! q0 P0 J# g" w [
┣电路设计缺陷引起的失效
5 R/ X! i0 ]4 n3 V" {
┣CMOS IC闩锁效应失效
2 O) V+ ]- `/ e6 h
┣ESD—静电放电损伤失效
0 d1 M5 K9 N# w1 C8 L/ S) \
┣过电损伤失效
8 T9 n+ e l. O$ a+ J
┣电腐蚀失效
" A! z' x- r" [1 v4 r
┣污染
5 B+ Y! [$ s4 ~. x4 g3 A
┣机械应力损伤失效
; Z: U) x7 ]! o: v! m5 t
┣热结构缺陷引起过热失效
0 Q& J6 @0 A1 Q3 ?
┣材料缺陷案例
# w- f5 D6 G* u! |
┣工艺缺陷案例
' b* Y9 w0 q* S# K
┣寿命失效
# ^" [$ W n& `! Q
┗小结
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