关于光耦的爬电距离的确定?、
如果在光耦的初次级之间有条1.2MM的开槽,那么爬电距离应该如何确定?有经验的同仁是否可以指点一下?谢谢! 那就从光耦的本体爬过去呀! 其實你有附上圖的話大家比較好討論~~另外溝的長度也有差別!!!! the with for the ditch should be considered 槽大于1mm,从槽的两端取直线距离到一二次电路吧,相加。 光耦本体一般不考虑了,认为单独认证的时候外部爬电距离满足要求的
量光耦本体如果能满足要求最好,不能的话,如果光耦紧靠PCB的话就比较麻烦了,CTI不好确定,用光耦的或PCB的都不合适,把这部分电路单独做个PTI确定貌似比较合适 光耦初次级电气距离4.0,爬电距离4.8mm 一看你光耦是不是额定使用,如果额定使用,槽的宽度也够的话爬电距离可以过的。另外我在这问下,各位在做认证的时候有没有考量光耦里面的穿透距离啊?(注:我做的产品是需要固体绝缘厚度(0.3mm)的,但是现在使用的光耦它内部的绝缘厚度达不到,请问怎么判?外部的电气间隙和爬电距离我们已经不考虑了) 引用第2楼bowking于2010-04-20 16:54发表的:
其實你有附上圖的話大家比較好討論~~
另外溝的長度也有差別!!!!
应该是沟的深度有关系吧 通常我司根据电路电压的不同而选择光藕脚距不一样的。而且是通过UL or VDE认证的器件。所以不再考虑光藕本体的距离问题。如果是PCB光藕下的PCB板的距离不够而开的槽的话,那就只考虑槽的要求就好了。
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