关于EMI方面的,对于不同频段干扰原因及抑制办法
关于EMI方面的,对于不同频段干扰原因及抑制办法:1MHZ以内:以差模干扰为主,增大X电容就可解决大部分问题;
1MHZ---5MHZ:差模共模混合,采用输入端并10uF的X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决;
5M---以上:以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法,对于有外壳接地的,在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减;对于25--30MHZ:不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCB LAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器.;
30---50MHZ:普遍是MOS管高速开通关断引起,可以用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路采用1N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来解决;
100---200MHZ:普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠 。 学习了! 学习了,支持下 学习了,谢谢! 学习了,谢谢 之前遇到5M以内的影响,基本也是以上方法解决 本帖最后由 leaphile 于 2014-2-10 00:47 编辑
学习了, 谢谢!
弱弱的问一下, 请问什麽是RCD?
leaphile 发表于 2014-2-10 00:09 static/image/common/back.gif
学习了, 谢谢!
弱弱的问一下, 请问什麽是RCD?
可以问度娘去呀 本帖最后由 leaphile 于 2014-2-18 22:27 编辑
yuqijun 发表于 2014-2-17 15:12 static/image/common/back.gif
可以问度娘去呀
偶是新手, 很多事也不懂, 才问的
上网见 RCD = residual current device, 但觉得在这里没可能是这个吧, 故才请教各高人的 "采用输入端并10uF的X电容"------X电容最大也就是1uF, 要并联10个?
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